7月12日，資本邦了解到，拓荊科技股份有限公司(下稱“拓荊科技”)沖刺科創(chuàng)板IPO獲上交所受理，本次擬募資10億元。
圖片來源：上交所官網(wǎng)
拓荊科技主要從事高端半導體專用設(shè)備的研發(fā)、生產(chǎn)、銷售和技術(shù)服務(wù)。公司聚焦的半導體薄膜沉積設(shè)備與光刻機、刻蝕機共同構(gòu)成芯片制造三大核心設(shè)備。公司主要產(chǎn)品包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設(shè)備、原子層沉積(ALD)設(shè)備和次常壓化學氣相沉積(SACVD)設(shè)備三個產(chǎn)品系列，已廣泛應(yīng)用于國內(nèi)晶圓廠14nm及以上制程集成電路制造產(chǎn)線，并已展開10nm及以下制程產(chǎn)品驗證測試。
圖片來源：公司招股書
財務(wù)數(shù)據(jù)顯示，公司2018年、2019年、2020年、2021年前三月營收分別為7,064.40萬元、2.51億元、4.36億元、5,774.10萬元;同期分別虧損1.03億元、1,936.64萬元、1,169.99萬元、1,058.92萬元。
發(fā)行人選擇的上市標準為《上海證券交易所科創(chuàng)板股票發(fā)行上市審核規(guī)則》第三章第二十二條第(四)項：預(yù)計市值不低于人民幣30億元，且最近一年營業(yè)收入不低于人民幣3億元。
本次擬募資用于高端半導體設(shè)備擴產(chǎn)項目、先進半導體設(shè)備的技術(shù)研發(fā)與改進項目、ALD設(shè)備研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化項目、補充流動資金。
圖片來源：公司招股書
拓荊科技背靠國家大基金、國投上海、中微公司，2019年1月至本招股說明書簽署日，發(fā)行人無控股股東和實際控制人，不存在發(fā)行人控股股東、實際控制人控制其他企業(yè)的情況。
拓荊科技坦言公司存在以下風險：
(一)技術(shù)人員流失及無法持續(xù)引入高端技術(shù)人才的風險
公司所處的半導體專用設(shè)備行業(yè)屬于技術(shù)密集型行業(yè)，涉及等離子體物理、射頻及微波學、微觀分子動力學、結(jié)構(gòu)化學、光譜及能譜學、真空機械傳輸?shù)榷喾N科學技術(shù)及工程領(lǐng)域?qū)W科知識的綜合應(yīng)用，高端技術(shù)人才成為企業(yè)持續(xù)發(fā)展和保持競爭力的原動力。
近年來，國內(nèi)半導體專用設(shè)備市場及晶圓制造需求不斷增長，行業(yè)內(nèi)人才競爭日益激烈，專業(yè)技術(shù)人才呈現(xiàn)嚴重短缺的情形。公司若無法持續(xù)為技術(shù)人才提供較優(yōu)的薪酬待遇和發(fā)展平臺，無法持續(xù)吸引全球高端技術(shù)人才，則將面臨技術(shù)人才流失、儲備不足的局面，并導致公司創(chuàng)新能力不足。
(二)尚未盈利及持續(xù)虧損風險
報告期內(nèi)，公司凈利潤分別為-10,322.29萬元、-1,936.64萬元、-1,169.99萬元及-1,058.92萬元，扣除非經(jīng)常性損益后歸屬于母公司所有者的凈利潤分別為-14,993.05萬元、-6,246.63萬元、-5,711.62萬元和-2,400.90萬元。報告期內(nèi)尚未實現(xiàn)盈利，主要由于半導體設(shè)備行業(yè)技術(shù)含量高，研發(fā)投入大，產(chǎn)品驗證周期長，公司需要持續(xù)進行了大量的研發(fā)投入。
報告期內(nèi)，公司研發(fā)費用分別為10,797.31萬元、7,431.87萬元、12,278.18萬元和2,714.86萬元，占各期營業(yè)收入的比例為152.84%、29.58%、28.19%和47.02%。研發(fā)費用金額較高和占營業(yè)收入的比例較大，是公司虧損主要原因。
報告期內(nèi)，公司虧損雖已逐年收窄，但如果未來發(fā)生市場競爭加劇、宏觀經(jīng)濟和半導體產(chǎn)業(yè)的景氣度下行、主要客戶削減資本性支出預(yù)算、公司大幅增加研發(fā)投入或公司不能有效拓展客戶等情形，將使公司面臨一定的經(jīng)營壓力，公司未來一定期間內(nèi)仍存在無法盈利的風險。
(三)產(chǎn)品驗收周期較長風險
晶圓制造屬于高精密制造領(lǐng)域，對產(chǎn)線上各環(huán)節(jié)的良率要求極高，任何進入量產(chǎn)線的設(shè)備均需經(jīng)過長時間工藝驗證和產(chǎn)線聯(lián)調(diào)聯(lián)試。特別是對薄膜沉積設(shè)備而言，由于薄膜是芯片結(jié)構(gòu)的功能材料層，在芯片完成制造、封測等工序后會留存在芯片中，薄膜的技術(shù)參數(shù)直接影響芯片性能。
生產(chǎn)中不僅需要在成膜后檢測薄膜厚度、均勻性、光學系數(shù)、機械應(yīng)力及顆粒度等性能指標，還需要在完成晶圓生產(chǎn)流程及芯片封裝后，對最終芯片產(chǎn)品進行可靠性和生命周期測試，以衡量薄膜沉積設(shè)備是否最終滿足技術(shù)標準。因此，晶圓廠對薄膜沉積設(shè)備所需要的驗證時間相比其他半導體專用設(shè)備可能更長。
對于新客戶的首臺訂單或新工藝訂單設(shè)備，一般從前期的客戶需求溝通、方案設(shè)計、樣機試制、場內(nèi)工藝測試與調(diào)優(yōu)到客戶端樣機安裝調(diào)試、工藝驗證到最后的工藝驗證和產(chǎn)品驗收通過，整個流程可能需要6-24個月甚至更長時間。對于重復(fù)訂單設(shè)備，由于已通過客戶工藝驗證，新到設(shè)備的工藝技術(shù)一般無需做較大改動，從出貨到設(shè)備驗收通常需要3-24個月的時間。如此寬幅的驗收周期時間波動主要是受到客戶產(chǎn)線條件、客戶端安裝調(diào)試、客戶工藝要求調(diào)整、客戶驗收流程限制以及其他偶然性因素的影響。
如果受某些因素影響，公司產(chǎn)品驗收周期延長，公司的收入確認將有所延遲。
另外，可能存在公司設(shè)備驗收不通過、收款時間延后等風險，增加公司的資金壓力，影響公司的財務(wù)狀況。
(四)收入依賴PECVD產(chǎn)品，ALD產(chǎn)品及SACVD產(chǎn)品尚未得到大規(guī)模驗證的風險
公司主要產(chǎn)品為半導體薄膜沉積設(shè)備，報告期內(nèi)，公司PECVD、ALD、SACVD三大類薄膜沉積設(shè)備已得到產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。由于公司PECVD設(shè)備推出較早，產(chǎn)品線較為豐富，下游市場應(yīng)用廣闊，國內(nèi)市場成熟。
報告期內(nèi)，PECVD銷售收入占發(fā)行人主營業(yè)務(wù)收入比例較高，分別為77.98%、100.00%、97.55%和100.00%。目前，公司ALD、SACVD均處于產(chǎn)品發(fā)往不同客戶端進行產(chǎn)線驗證的市場開拓階段，形成批量銷售需經(jīng)過不同客戶的驗證，周期存在不確定性。
ALD設(shè)備系集成電路先進制程晶圓制造的關(guān)鍵設(shè)備，在14nm及以下制程邏輯芯片、17nm及以下DRAM芯片中有著廣泛應(yīng)用。SACVD設(shè)備系40nm以下邏輯電路制造、高性能存儲芯片高深寬比填充的關(guān)鍵設(shè)備。
晶圓制造產(chǎn)線制程越先進，對于ALD、SACVD設(shè)備數(shù)量的需求越多。我國集成電路制造產(chǎn)業(yè)起步較晚，晶圓制造產(chǎn)線制程與國際先進水平相比較為落后，先進制程產(chǎn)線處于發(fā)展建設(shè)階段，具備先進制程晶圓制造能力的廠商較少。如果國內(nèi)先進制程晶圓制造產(chǎn)線發(fā)展不及預(yù)期，市場對ALD、SACVD設(shè)備的需求增長較小，發(fā)行人ALD及SACVD設(shè)備未來銷售增長將受到限制。
(五)Demo機臺無法實現(xiàn)最終銷售的風險
公司產(chǎn)品主要根據(jù)客戶的差異化需求和采購意向，進行定制化設(shè)計及生產(chǎn)制造，主要采用庫存式生產(chǎn)和訂單式生產(chǎn)相結(jié)合的生產(chǎn)模式。訂單式生產(chǎn)，指公司與客戶簽署正式訂單后進行的生產(chǎn)活動。庫存式生產(chǎn)，指公司尚未獲取正式訂單便開始的生產(chǎn)活動，包括根據(jù)Demo訂單或較明確的客戶采購意向啟動的生產(chǎn)活動。
對于Demo機臺，通常在公司與客戶充分溝通產(chǎn)品型號、參數(shù)、配置等信息，便開始組織生產(chǎn)，完工后以Demo訂單的形式發(fā)往客戶端進行驗證。一般在Demo機臺獲得客戶端驗證通過后，客戶才會下達正式訂單進行采購。
截至報告期末，公司發(fā)出商品共計56臺，其中尚未獲取正式訂單，僅通過Demo訂單等形式安排發(fā)運的設(shè)備共計20臺，占比為35.71%。如果Demo機臺未來最終無法獲得客戶驗證通過，相關(guān)機臺可能無法實現(xiàn)銷售，公司可能面臨調(diào)整生產(chǎn)計劃、更換已完工機臺的部分模塊導致生產(chǎn)成本加大、存貨庫齡加長等情形，對公司的生產(chǎn)、業(yè)績造成不利影響。
(六)技術(shù)創(chuàng)新風險
隨著全球半導體行業(yè)的蓬勃發(fā)展，半導體行業(yè)技術(shù)日新月異，下游客戶對薄膜沉積設(shè)備兼容的材料類型、電性能、機械性能、薄膜均勻度等需求也隨之不斷變化。因此，公司需要持續(xù)保持較大的研發(fā)投入，緊跟制造工藝、基礎(chǔ)學科發(fā)展的最新方向，積極實驗探索新技術(shù)路線、新設(shè)計思路、新材料性能。
如果公司未來未能準確理解下游客戶的產(chǎn)線設(shè)備及工藝技術(shù)演進需求，或者技術(shù)創(chuàng)新產(chǎn)品不能契合客戶需求，無法適應(yīng)下游芯片制造工藝節(jié)點繼續(xù)縮小或芯片制造新技術(shù)出現(xiàn)，可能導致公司設(shè)備無法滿足下游生產(chǎn)制造需要，將可能對公司的經(jīng)營業(yè)績造成不利影響。
(七)市場競爭風險
半導體設(shè)備行業(yè)具有很高的技術(shù)壁壘、市場壁壘和客戶準入壁壘。目前公司的競爭對手主要為國際知名半導體設(shè)備制造商，與中國大陸半導體專用設(shè)備企業(yè)相比，國際巨頭企業(yè)擁有客戶端先發(fā)優(yōu)勢，產(chǎn)品線豐富、技術(shù)儲備深厚、研發(fā)團隊成熟、資金實力較強等優(yōu)勢，國際巨頭還能為同時購買多種產(chǎn)品的客戶提供捆綁折扣。
2019年度，在CVD設(shè)備全球市場中，應(yīng)用材料(AMAT)、泛林半導體(Lam)、東京電子(TEL)的市場占有率分別為30%、21%和19%;在ALD設(shè)備全球市場中，東京電子(TEL)、先晶半導體(ASMI)的市場占有率分別為31%和29%。相比國際巨頭，公司的綜合競爭力處于弱勢地位，市場占有率較低。
另外，國內(nèi)半導體設(shè)備廠商存在互相進入彼此業(yè)務(wù)領(lǐng)域，開發(fā)同類產(chǎn)品的可能。例如，在ALD設(shè)備領(lǐng)域，除發(fā)行人外，北方華創(chuàng)、盛美股份、屹唐股份及中微公司已推出自產(chǎn)設(shè)備或有進入ALD設(shè)備市場的計劃。
公司面臨國際巨頭以及潛在國內(nèi)新進入者的雙重競爭。如果公司無法有效應(yīng)對市場競爭環(huán)境，則公司的行業(yè)地位、市場份額、經(jīng)營業(yè)績等均會受到不利影響。
(八)客戶相對集中的風險
報告期內(nèi)，公司前五大客戶主營業(yè)務(wù)銷售金額占當期主營業(yè)務(wù)收入的比重分別為100.00%、84.02%、83.78%和100.00%。前五大客戶集中度較高，主要由于集成電路制造行業(yè)屬于資本和技術(shù)密集型，國內(nèi)外主要集成電路制造商均呈現(xiàn)經(jīng)營規(guī)模大、數(shù)量少的行業(yè)特征。
公司客戶集中度較高可能會導致公司在商業(yè)談判中處于弱勢地位，且公司的經(jīng)營業(yè)績與下游半導體廠商的資本性支出密切相關(guān)，客戶自身經(jīng)營狀況變化也可能對公司產(chǎn)生較大的影響。如果公司后續(xù)不能持續(xù)開拓新客戶或?qū)ι贁?shù)客戶形成重大依賴，將不利于公司未來持續(xù)穩(wěn)定發(fā)展。
